曝三星1c DRAM HBM4良率提升至50%, 加速部署光刻机抢占DRAM市场

IT之家10月17日消息，据科技媒体TweakTown今天报道，三星下一代1cDRAM在HBM4上的良率已达到50%，同时该公司还在扩充High-NAEUV光刻机产能，加速量产HBM4、HBM4E。

据消息人士Jukanlosreve昨天在X平台的发文，三星已加速押注DRAM领域，从ASML（IT之家注：阿斯麦）购入5台全新High-NAEUV光刻机，其中2台将部署在三星半导体代工事业部，其余设备则专供存储事业部。

TweakTown对此认为，三星的这番举动暗示着将建立专属内存生产线，使得HBM4量产速度更快，同时提前部署HBM4E和下一代HBM5。

一位半导体业界人士表示：“过去三星的代工和存储业务在韩国平泽园区共用EUV工艺，但随着最新变化，新增的五台光刻机将专供存储业务”。

作为参考，三星平泽园区的DRAM部门每月大约生产30万片晶圆，其产线几乎已经满载，不过根据另一名业内人士透露，如果北美的主要客户追加订单，那剩下三台光刻机有可能被送至美国德州泰勒晶圆厂。

对比之下，三星的竞争对手SK海力士仍处于领先地位，为英伟达Blackwell系列GPU供应HBM3/HBM3E芯片，三星此举势必将扩大DRAM产能，让两家公司之间的竞争进一步升级。